RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link