RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
2932
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link