RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Comparez
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Note globale
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2049
2932
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link