RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3245
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link