RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3245
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link