RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
39
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2438
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link