RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
39
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2438
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link