RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
39
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2909
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link