RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
39
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2909
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link