RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
39
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2806
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link