RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.2
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2806
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link