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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
39
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2353
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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