RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
39
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2353
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link