RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
39
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2434
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS32G52D5 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link