RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
39
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
24
Velocità di lettura, GB/s
11.7
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2434
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link