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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
56
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3017
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Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
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