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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
56
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
39
读取速度,GB/s
4,387.7
14.8
写入速度,GB/s
1,813.5
13.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3017
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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