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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
17.6
16.5
写入速度,GB/s
12.0
9.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2682
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
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