RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
33
En -50% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
22
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2682
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link