RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
56
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
45
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2841
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link