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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2912
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-4G68H1P-16K-BK 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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