RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2912
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link