RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2912
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link