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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
56
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2734
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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