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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
56
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
36
读取速度,GB/s
4,387.7
13.4
写入速度,GB/s
1,813.5
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2734
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
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