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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
56
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3157
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
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