RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
56
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3157
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link