RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
92
Por volta de -268% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
25
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
18.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
4046
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link