RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
92
Intorno -268% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.1
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
25
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
4046
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link