RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
51
Intorno -168% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
19
Velocità di lettura, GB/s
15.6
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2994
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link