RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
51
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
19
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2994
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link