RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
56
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3396
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link