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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
56
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2918
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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