RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
63
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3086
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link