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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
56
En -155% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3879
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
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