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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
56
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3258
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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