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Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Compara
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Puntuación global
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
49
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,681.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,204.9
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,681.5
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
324
3672
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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