RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2918
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link