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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
56
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2914
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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