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Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

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Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.5 left arrow 8.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 5.6
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 43
    En -43% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.5 left arrow 8.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 5.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1682 left arrow 1344

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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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