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Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Compara
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.5
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
1344
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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