RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Confronto
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.5
8.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
43
Intorno -43% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
30
Velocità di lettura, GB/s
10.5
8.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1682
1344
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link