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Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Comparez
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.5
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de -43% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
43
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
8.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
1344
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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