RAM-Vergleich Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Gesamtnote

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

10.5 8.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

6.8 5.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 43

Rund um -43% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1682 1344

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns