Comparação RAM Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Pontuação geral

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

10.5 8.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

6.8 5.6

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

30 43

Por volta de -43% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1682 1344

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns