Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    10.5 left arrow 8.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    6.8 left arrow 5.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 43
    Wokół strony -43% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    43 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.5 left arrow 8.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    6.8 left arrow 5.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1682 left arrow 1344
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania