RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
1344
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link