Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Puntuación global
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 10.4
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    37 left arrow 56
    En -51% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 1,813.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 6400
    En 3 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    56 left arrow 37
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,387.7 left arrow 10.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,813.5 left arrow 7.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    693 left arrow 2213
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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