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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
62
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
62
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2138
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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