RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
62
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
9.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2138
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link