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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
56
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2430
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
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