RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
65
En -210% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
21
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
3437
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link